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    在最近几年,LED的技术取得重大进展,并因其价格和结构方面的广阔发展空间,使得它能够向传统的光源发起挑战,因此也成为照明行业的一个热点。鉴于LED工艺技术与传统的制灯工艺技术显著不同,因此根据国内外的有关杂志中节选了有关LED工艺技术的评论,供有关同行参考。

    一、 LED工艺技术的基本介绍


    为了制造发光的P-n结型晶体,采用了Ⅲ—ⅤⅡ—Ⅳ层的半导体材料,该材料是由培育层、窗口、内反射器等组合。晶体为零级水平的产品,封装的晶体、开关触点、反射器、热拆卸装置、密封件等称为发光等或一级水平产品。


    在简化的模式中,光发生在晶体内向P-n结过渡时,此过程的效能称为内量子效率。它由材料的质量(杂质、缺陷等)所决定,而且还由结构和生产层决定。材料系统的特性决定于波长(颜色),但是,并非产生在晶体内的光全部发射到外部,这取决于晶体的光学特性(折射系数、内部吸收、几何尺寸)。从晶体及其周围的晶体组发出的光称为出射效率。总效率是内部量子效率与出射效率的乘积。独立的智能灯光场景构建方案()

     

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